固体电子学研究与进展

固体电子学研究与进展杂志 北大期刊 统计源期刊

Research & Progress of SSE Solid State Electronics

杂志简介:《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准,自1981年创刊,国内刊号为32-1110/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:南京电子器件研究所
国际刊号:1000-3819
国内刊号:32-1110/TN
全年订价:¥ 220.00
创刊时间:1981
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.43
复合影响因子:0.29
总发文量:1277
总被引量:2651
H指数:12
引用半衰期:3.7381
立即指数:0.0082
期刊他引率:0.837
平均引文率:7.9426
杂志简介 收录信息 杂志荣誉 历史收录 杂志特色 杂志评价 课题分析 发文刊例 杂志问答

固体电子学研究与进展杂志简介

《固体电子学研究与进展》经新闻出版总署批准,自1981年创刊,国内刊号为32-1110/TN,本刊积极探索、勇于创新,栏目设置及内容节奏经过编排与改进,受到越来越多的读者喜爱。

《固体电子学研究与进展》办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。

《固体电子学研究与进展》杂志学者发表主要的研究主题主要有以下内容:

(一)高电子迁移率晶体管;氮化镓;砷化镓;GAAS;GAN

(二)GAAS;砷化镓;MMIC;单片;微波单片集成电路

(三)MMIC;砷化镓;PHEMT;功率放大器;GAAS

(四)HFET;GAN;电流崩塌;势垒;沟道

(五)CMOS;低功耗;跨导;电路;锁相环

(六)砷化镓;GAAS;单片;开关;MESFET

(七)氮化镓;MOCVD;GAN;高电子迁移率晶体管;二维电子气

(八)半导体器件;硅;双极晶体管;集成电路;CMOS

(九)金刚石;衬底;氮化镓晶体管;二维电子气;高电子迁移率晶体管

(十)微波单片集成电路;MMIC;功率MMIC;氮化镓;功率放大器

固体电子学研究与进展收录信息

固体电子学研究与进展杂志荣誉

固体电子学研究与进展历史收录

  • 北大核心期刊(2020版)
  • 北大核心期刊(2017版)
  • 北大核心期刊(2014版)
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 北大核心期刊(2008版)
  • 北大核心期刊(2000版)
  • 北大核心期刊(1996版)
  • 北大核心期刊(1992版)
  • 中国科技核心期刊
  • 中国科学引文数据库-核心(2011-2012)
  • 中国科学引文数据库-扩展(2017-2018)
  • 中国科学引文数据库-扩展(2015-2016)
  • 中国科学引文数据库-扩展(2013-2014)
  • Scopus数据库(2020)
  • 日本科学技术振兴机构数据库
  • 哥白尼索引
  • 化学文摘(网络版)

固体电子学研究与进展杂志特色

1、论文摘要字数请控制在400字以内,内容要明确体现核心观点、创新之处及研究方法。

2、作者单位用脚注方式(阿拉伯数字)书写在正文第1页最下方,写明所有作者的工作单位、城市(或县)和邮政编码。第一作者必须在文末提交个人简介。书写格式依次为:姓名(出生年~)、性别、民族、学历、职称、研究方向等。

3、文章各章节或内容层次的序号,一般依一、(一)、1、(1)等顺序表示。

4、论文标题的层级,按一、(一)、1、(1)……排列,标题序号后不加逗号,标题末尾不加句号。

5、注意引用近两年国内外的最新文献。本刊采用顺序编码制标注参考文献,文献序号按出现先后排序,并在文中相应处标出。

固体电子学研究与进展杂志评价

发文量 影响因子
立即指数 被引次数
主要引证文献期刊分析

立即指数:立即指数 (Immediacy Index)是指用某一年中发表的文章在当年被引用次数除以同年发表文章的总数得到的指数;该指数用来评价哪些科技期刊发表了大量热点文章,进而能够衡量该期刊中发表的研究成果是否紧跟研究前沿的步伐。

引证文献:又称来源文献,是指引用了某篇文章的文献,是对本文研究工作的继续、应用、发展或评价。这种引用关系表明了研究的去向,经过验证,引证文献数等于该文献的被引次数。引证文献是学术论著撰写中不可或缺的组成部分,也是衡量学术著述影响大小的重要因素。

固体电子学研究与进展课题分析

主要资助项目
  • 国家自然科学基金
  • 国家高技术研究发展计划
  • 国家重点基础研究发展计划
  • 江苏省自然科学基金
  • 中央高校基本科研业务费专项资金
  • 国家科技重大专项
  • 国家教育部博士点基金
  • 福建省自然科学基金
  • 国家重点实验室开放基金
  • 河北省自然科学基金
主要资助课题
  • 江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053)
  • 国家自然科学基金(60371029)
  • 国家自然科学基金(60506012)
  • 国家自然科学基金(60776016)
  • 中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B)
  • 国家高技术研究发展计划(2009AA011605)
  • 北京市人才强教计划项目(05002015200504)
  • 国家自然科学基金(69736020)
  • 国家自然科学基金(61106130)
  • 国防科技重点实验室基金(9140C1402021102)

固体电子学研究与进展发文刊例

  • 1、基于GaN HEMT的0.8~4.2GHz超宽带功率放大器的设计作者:杨文琪; 钟世昌; 李宇超
  • 2、C波段高效率GaN HEMT功率放大器作者:孙嘉庆; 郑惟彬; 钱峰
  • 3、L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器作者:蔺兰峰; 周衍芳; 黎明; 陶洪琪
  • 4、Y2O3改善HfO2高k栅介质Ge MOS电容的电特性及可靠性作者:徐火希; 谢玉林
  • 5、应变调制型磁性隧道结器件建模及其转换特性研究作者:徐立; 蔡理; 崔焕卿; 王森; 杨晓阔; 冯朝文
  • 6、2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管作者:应贤炜; 王佃利; 李相光; 梅海; 吕勇; 刘洪军; 严德圣; 杨立杰
  • 7、一种应用于SOC时钟的锁相环设计作者:吉新村; 徐严; 郭风岐; 夏晓娟; 郭宇锋
  • 8、一种用于背板传输的6.25 Gbps均衡和预加重电路设计作者:张冰; 吕晓滑; 唐书林
  • 9、基于T型分支线结构的小型化差分滤波器作者:张友俊; 章庆
  • 10、一种新型小型化平衡双通带滤波器作者:张友俊; 袁晓芳

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